| 数量 | 价格(USD) | 发货日期 |
|---|---|---|
| 1-10 | 待定 | |
| 10- | 待定 |
注意：发货日期以上是因库存不足而调整的。
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Low Dark Current Silicon PIN Photodiode (DIP package)
产品编号: PDCD10-201
800nm 峰值波长针对性优化，近红外波段（760~1060nm）适配近红外主导的检测场景；通过峰值优化弥补了普通型号近红外响应偏弱的问题。
可直接替换后者适配近红外设备，无需调整电路或光学结构。
注意事项
- 产品图片仅供参考，并不代表所有产品。
已配置规格
| Photosensitive Area Size (with Shape) | 3.2×3.2mm (Square) | Dark Current (Typ./Max., pA) | 3.5/20 |
| Junction Capacitance (Typ., pF) | 115 | Rise Time (Typ., μs) | 0.25 |
| Shunt Resistance (Min., GΩ) | 3 | Equivalent Noise Power (Typ., W/Hz¹/²) | 4.6×10⁻¹⁵ |
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