| 数量 | 价格(USD) | 发货日期 |
|---|---|---|
| 1-10 | 待定 | |
| 10- | 待定 |
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Low Dark Current Silicon PIN Photodiode (DIP package)
产品编号: PDCD10-201
800nm 峰值波长针对性优化，近红外波段（760~1060nm）适配近红外主导的检测场景；通过峰值优化弥补了普通型号近红外响应偏弱的问题。
可直接替换后者适配近红外设备，无需调整电路或光学结构。
图片仅做展示
已配置规格
| Photosensitive Area Size (with Shape) | Dark Current (Typ./Max., pA) | Junction Capacitance (Typ., pF) | Rise Time (Typ., μs) | Shunt Resistance (Min., GΩ) | Equivalent Noise Power (Typ., W/Hz¹/²) |
|---|---|---|---|---|---|
| 3.2×3.2mm (Square) | 3.5/20 | 115 | 0.25 | 3 | 4.6×10⁻¹⁵ |
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型号
Photosensitive Area Size (with Shape)
Rise Time (Typ., μs)
Junction Capacitance (Typ., pF)
Shunt Resistance (Min., GΩ)
Dark Current (Typ./Max., pA)
Equivalent Noise Power (Typ., W/Hz¹/²)
操作
