VL Plan Apo NUV/M Plan Apo NUV HR近紫外视场物镜

HR 版 NA 0.8 且针对 355nm 优化，分辨率达 0.3μm（近衍射极限），可辨芯片纳米电路等亚微米结构 。1.6mm 短工作距为高 NA 妥协，适配半导体晶圆缺陷复判、激光加工终点检测等固定样品超精细观测 。

应用于：

半导体先进制程（如 7nm 以下电路）检测、激光微纳加工的 “终点精度” 验证。