中倍兼顾范围与细节,NA 提升使分辨力达 2μm(比 2× 提升 2.5 倍),平场设计让视场边缘与中心清晰度一致。
应用于:
金属晶粒分布、半导体封装纹理观察,长工作距离适配带凸起结构的样品(如焊接件、芯片引脚),可加装偏光模块分析晶体取向。