VL Plan Fluor EPI BD 明暗场长距物镜

高倍下长工作距突破：3.1mm 工作距离远超常规 100× 物镜（通常 < 1mm），兼顾超精密观察与操作安全；极限分辨力：NA 0.8 结合平场半复消色差，可检测芯片纳米级短路、晶圆氧化层针孔等超细微缺陷。

应用于：

半导体芯片纳米划痕检测（暗场）、超精密材料（如石墨烯）微观形貌分析（明场）、金属晶界异常高倍观察。