| 数量 | 价格(USD) | 发货日期 |
|---|---|---|
| 1-10 | 待定 | |
| 10- | 待定 |
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VL Plan Fluor EPI BD 明暗场长距物镜
产品编号: VL Plan Fluor EPI BD 100X
高倍下长工作距突破：3.1mm 工作距离远超常规 100× 物镜（通常 < 1mm），兼顾超精密观察与操作安全；极限分辨力：NA 0.8 结合平场半复消色差，可检测芯片纳米级短路、晶圆氧化层针孔等超细微缺陷。
应用于：
半导体芯片纳米划痕检测（暗场）、超精密材料（如石墨烯）微观形貌分析（明场）、金属晶界异常高倍观察。
注意事项
- 产品图片仅供参考，并不代表所有产品。
已配置规格
| NA | 0.8 | WD | 3.1mm |
| R | 0.34um | ±D.F | 0.43um |
