无限远校正,明场消色差;20× 中高倍 + NA=0.46,亚微米分辨率(0.60μm),工作距 3.1mm 适配常规样本。
应用于:
亚微米级结构的明场分析,如半导体芯片浅表层缺陷(微小裂纹、颗粒)、细胞亚结构(细胞器分布)观测。