物镜

超宽视场 + 极深焦深，低倍率下保持 13mm 工作距离，允许样本表面有一定起伏（焦深 440μm 覆盖大范围高度差）。可应用于PCB 板 / 晶圆整片扫描、大尺寸零件表面缺陷筛查、需集成激光加工头的自动化产线（大间距避免碰撞）。

A benchmark for ultra-long working distance: the 34mm spacing enables observation of ultra-thick/irregular samples (e.g., 3D printed parts, transparent thick films), while achieving a 5μm resolution (twice that of the 1X model).

It can be applied to thickness inspection of new energy battery pole pieces (thick coatings) and non-destructive observation of samples with complex morphologies (e.g., surfaces of cast and forged parts).

超长高工作距41mm 工作距几乎可容纳手指操作，适配大样品或需工具干预的场景；中低倍过渡：2.8μm 分辨力比 1X/2X 提升显著，兼顾视野与细节。

应用于：

电子元件检测（如 PCB 板）、矿物颗粒观察、大体积样品局部精细分析。

中低倍 “平衡者”：NA=0.14 提升分辨率（2.0μm），35mm 工作距仍保留操作空间；性价比之选：兼顾放大、分辨率与实用性，适配常规实验室中低倍观察。

可应用于细胞群落观察、纤维直径测量、金属晶粒初步分析。

中倍率观察下的“性能拐点”，通过数值孔径（NA）的突破、色差校正以及工作距离的保持，将“视场广度”和“细节深度”有机融合。

它精准适配细胞形态、材料缺陷、生物结构等细分场景，成为实验室中倍率观察的“效率领导者”。

经典 “万能镜”：10 倍放大 + NA=0.28，兼顾分辨率（1.0μm）与工作距（34mm），适配 90% 以上常规观察；轻量高效：217g 重量对显微镜负载友好，长期观察不易疲劳。

应用于细胞内部结构（如细胞核）、细菌形态、金属磨面晶粒观察。

中高倍 “过渡桥”：NA=0.35 提升分辨率（0.8μm），22mm 工作距仍支持有限操作（如微调样品）；细节深化：比 10X 分辨率提升 20%，适合观察细胞器、纤维细节。

应用于:

线粒体观察、纤维编织结构、半导体芯片电路线分析。

高倍 “精准眼”：NA=0.42 接近油镜下限，分辨力 0.7μm 进入亚微米深层；焦深收窄：±1.6μm 焦深需样品更平整，适合超薄切片或精细调焦。

应用于:

细胞器细节（如高尔基体）、病毒颗粒（染色后）、金属相界观察。

高倍 “核心镜”：NA=0.55 赋能 50 倍下 0.5μm 分辨力（接近 550nm 波长衍射极限）；视场极窄：0.48mm 视场需精准定位，适合单细胞、纳米结构观察。

应用于:

细胞核亚结构、纳米颗粒、金属孪晶界分析。

NA=0.7+100 倍放大，实现 0.4μm 分辨力（550nm 下理论最高），逼近光学显微镜极限；6mm 工作距需严格控光（建议搭配盖玻片），焦深极浅（±0.56μm）对样品平整度要求极高。

应用于病毒形态（高染色度）、蛋白质晶体、半导体量子点观察。

25 毫米工作距离（WD）仍属于 “长工作距离” 类别（比同系列的高倍率 HR 型号更长）。

然而，其数值孔径（NA）跃升至 0.21，分辨率突破至 1.3 微米（接近中倍率镜头的性能），实现了操作空间与细节观察的平衡。

After the numerical aperture (NA) exceeds 0.42, the resolution reaches the sub-micron level (0.7μm). With a 15mm working distance (WD),

it still supports limited operations (e.g., auxiliary micro-operation), making it a universal high-resolution model for industrial quality inspection and scientific research.

It can be applied to:

• The detection of shallow surface defects (scratches, particles, photoresist defects) on semiconductor wafers;
• The observation of cell-level structures in biological samples (e.g., microtubules in tissue sections, plant stomata).

NA=0.6 平衡分辨力（0.5μm）与工作距（9.5mm），无需油浸即可观察亚微米结构；平场设计价值凸显：20 倍下全视场清晰，适配 1″相机（0.48×0.64mm 视场）拍摄无畸变图像。

应用于：

细胞器 精细结构（如线粒体嵴、高尔基体）；

半导体 电路线宽 测量（≤1μm 线宽）；

薄膜 层间缺陷 检测（如光伏膜分层）。

干镜 “性能巅峰”：NA=0.75+50 倍放大，0.4μm 分辨力逼近 550nm 波长衍射极限（理论～0.41μm）；5.2mm 工作距突破：高 NA 下仍保留 5mm 以上操作空间，适配超薄切片（≤5μm）或芯片观察。

应用于：

• 纳米颗粒 尺寸 / 分布 分析（金纳米、量子点）
• 蛋白质晶体 晶格轮廓 观察
• 金属 孪晶界 超精细结构（如不锈钢马氏体）

NA=0.9+100 倍放大，0.3μm 分辨力突破人眼识别极限（需图像辅助）；1.4mm 工作距需 超薄平整样品（≤1μm）+ 盖玻片，复消色差保证高倍下色彩精准。

应用于：

• 病毒 形态细节 观察（高染色度，如噬菌体尾部结构）；
• 半导体 量子阱 / 量子点 阵列；
• 石墨烯 褶皱 / 缺陷 超精细表面分析。

20× 级 “显微操作伴侣”：30mm 工作距为镊子夹取、液体滴加预留充足空间，适配厚样品（如 10-15μm 植物切片）分层观察，告别 “高倍必贴样” 局限；复消色差稳基础画质：明场观察时，细胞边界与染色区域无色彩偏移，满足常规病理切片、材料缺陷初筛需求。

应用于：

植物维管束多层结构分析、细胞团显微注射辅助观察、PCB 线路表面缺陷普查。

50× 级 “平衡王者”：NA 提升至 0.42，分辨率跃升至 0.7μm（清晰辨线粒体嵴），20mm 工作距仍支持载物台微调，打破 “高分辨必失操作” 矛盾；复消色差抗畸变：1″相机视场（0.19×0.26mm）内边缘与中心清晰度一致，适配金属晶粒边界、薄膜针孔缺陷的定量分析。

应用于：

细胞细胞器细节观察、铝合金时效相分析、光伏膜层间缺陷定位

100× 级 “操作友好型极限镜”：13mm 工作距允许超薄样品（≤5μm）的细微调焦，避免常规高倍镜 “一碰就糊”；NA=0.55 + 复消色差，高倍下色彩与清晰度双优，突破亚微米结构（如病毒形态、纳米颗粒）观察瓶颈；

应用于：

染色病毒包膜结构分析、半导体栅极线宽测量（≤0.5μm）、高岭石片层超精细观察。

20mm 长距适配 厚样品近红外透照（如硅片、植物茎秆），操作空间充足；复消色差校正 800-1200nm 色差，近红外荧光标记（如 Cy5.5）成像无色偏，清晰呈现深层细胞轮廓。

应用于：

近红外活细胞深层成像、硅晶圆内部缺陷普查、植物维管束透照分析。

NA 提升至 0.55，突破 0.5μm 分辨率，可辨 量子点、半导体缺陷；13mm 工作距支持载物台微调，适配玻璃杂质、薄膜层间缺陷的近红外显微。

应用于：

近红外荧光细胞器观察、光伏膜缺陷定位、纳米颗粒尺寸分析。

NA=0.6+HR 设计，突破近红外衍射极限，解析 硅片亚微米线路、生物深层血管；9.5mm 工作距平衡高分辨与操作，适配半导体芯片失效分析（如金线键合缺陷）。

应用于：

半导体电路高分辨检测、脑皮层血管 NIR 成像、量子阱发光分析。

平场设计 + NA=0.67，全视场边缘与中心清晰一致，适配 近红外探测器芯片、量子点阵列 成像；10mm 工作距支持细微调焦，适合超薄样品（≤5μm）的近红外超分辨观察。

应用于：

近红外探测器像素分析、量子点发光图案检测、单细胞荧光信号定量分析。

NA=0.75+HR 设计，0.37μm 分辨力突破近红外极限，呈现 半导体纳米结构、病毒近红外标记；4mm 短距换取高 NA，适配 超薄窗口片、量子器件芯片 的超精细观察。

应用于：

石墨烯褶皱分析、病毒 NIR 形态观察、半导体纳米线阵列检测。

t0 补偿 0mm 玻璃，适配超薄 / 无基板样品，平场设计让视场边缘与中心同步清晰，近红外波段无色边干扰。

应用于：

液晶研发（薄样品测试）、透明薄膜缺陷检测，或样品表面凸起的大间距观察。

定制校正 0.7mm 玻璃的像差，近红外高穿透性 “看透” 基板，还原内部电路细节。

应用于：

液晶产线常规检测（手机 / 显示器面板），快速筛查线路断线、像素缺陷。

抵消厚玻璃的像差扩散，平场设计保障大视野边缘清晰，兼顾效率与精度。

应用于：

大尺寸液晶面板（电视 / 工控屏）检测，或多层玻璃器件的大视野观察。

t0 补偿 0mm 玻璃，高 NA + 复消色差实现近红外精细成像，平场设计消除高倍边缘模糊。

应用于：

液晶微小缺陷（微米级划痕 / 气泡）检测、OLED 微电路观察，或科研级近红外分析。

高倍下针对性校正 0.7mm 玻璃像差，还原基板下像素级细节，兼容近红外激光加工同轴观测。

应用于:

液晶高端质检（如苹果供应链）、像素缺陷分析，或激光修复实时监控。

突破 “厚样品 + 高倍” 像差瓶颈，近红外清晰呈现厚基板深层结构（如多层线路交叉区）。

应用于：

大尺寸厚玻璃面板（车载 / 医疗屏）深度缺陷分析、液晶材料微观研究。

平场设计消除场曲，20mm 长工作距避免碰撞凸起；复消色差覆盖紫外（355nm）+ 可见光，成像无色边。

应用于：

液晶研发阶段 超薄样品测试（如实验级无玻璃基板）；透明薄膜（如 OCA 胶）表面缺陷检测，或 半导体晶圆裸片观察（延伸场景）。

定制校正 0.7mm 玻璃折射干扰，近紫外（355nm）高穿透 + 可见光明视场，同步支持 激光加工同轴观测（如手机屏像素修复）。

应用于：

手机 / 平板 LCD 产线 常规检测（线路断线、像素缺陷筛查）；

355nm 激光修复时 实时监控加工区域（同轴光路，位置误差＜2μm）。

抵消厚玻璃像差扩散，平场设计保障 大视野边缘清晰（如整片电视屏检测），兼顾效率与精度。

应用于：

大尺寸液晶面板 全视野缺陷扫描（如 8K 电视屏）；

多层厚玻璃器件（如车载显示模组）的 内部结构观测（近紫外穿透 + 明视场对比）。

高 NA + 复消色差实现 紫外 - 可见光精细成像，平场设计消除高倍边缘模糊，适配科研级分析。

应用于：

液晶 微米级缺陷分析（如 0.5μm 划痕、气泡）；

半导体晶圆 近紫外光刻胶观测（355nm 波段优化，兼容光刻工艺）。

高倍下针对性校正 0.7mm 玻璃像差，还原 手机屏像素级细节，支持 355nm 激光修复同轴监控（如 OLED 像素电极修复）。

应用于：

高端液晶质检（如苹果供应链） 像素缺陷定量分析；

激光修复实时监控（如 ITO 线路修复，光斑精度达 0.1μm）。

突破 “厚玻璃 + 高倍” 像差瓶颈，近紫外清晰呈现 厚基板深层结构（如多层线路交叉区），兼容激光加工。

应用于：

大尺寸厚玻璃面板（车载 / 医疗屏） 深度缺陷分析（如 1.1mm 玻璃下的线路短路）；

液晶材料 近紫外光谱研究（复消色差保障多波长数据精准）。

超长大视野：2× 低倍率 + 30.5mm 超长工作距离，搭配 Φ24 目镜时实际视场达 12mm，可一次性覆盖大尺寸样品（如整片晶圆边缘），减少拼接观测误差。复消色差适配：针对 355nm 紫外与 532nm 可见光同步校正，适合 大范围样品的紫外 - 可见光双波段快速扫描（如半导体晶圆初步定位、LCD 面板全局检测）。

应用于：

工业产线对大尺寸样品的 “快速筛检”，或激光加工前的区域定位。

“长距 + 中倍率” 平衡：30.5mm 工作距离与 5× 倍率结合，既保留大操作空间（适配夹具、光源），又将分辨率提升至 2.1μm，可观测中等细节（如 LCD 像素阵列、芯片封装轮廓）。多波段兼容：355-532nm 复消色差，支持 紫外激光加工与可见光观测同步（如激光切割区域的实时监控）。

应用于：

电子元件封装缺陷检测、激光微加工的 “区域级” 细节观测。

“超长距 + 高分辨” 突破：10× 倍率下仍保持 30.5mm 工作距离（远超常规 10× 物镜的 10-15mm），同时 NA 提升至 0.28，分辨率达 1μm，实现 “长操作空间 + 精细观测” 双需求。齐焦优势：95mm 共轭距确保与 2×/5× 物镜切换时焦点不变，提升多倍率观测效率。

应用于：

带复杂夹具的样品检测（如倒装芯片）、需要手动操作空间的激光刻蚀观测。

20X 款 17mm 工作距，优于常规 20×（普遍 < 10mm），适配芯片引脚、电路线宽等中等细节观测，平衡倍率与操作空间 。355nm 紫外捕捉光刻胶细节，532nm 可见光还原金属线路色，支撑半导体光刻 / 蚀刻双波段质检 。

应用于：

半导体电路线宽测量（≥0.7μm）、LCD 彩色滤光片缺陷检测。

HR 版 NA 0.8 且针对 355nm 优化，分辨率达 0.3μm（近衍射极限），可辨芯片纳米电路等亚微米结构 。1.6mm 短工作距为高 NA 妥协，适配半导体晶圆缺陷复判、激光加工终点检测等固定样品超精细观测 。

应用于：

半导体先进制程（如 7nm 以下电路）检测、激光微纳加工的 “终点精度” 验证。

低倍大视场 + 超长工作距离，平场复消色差确保 20mm 视场边缘清晰；400-700nm 全波段消色差，色彩无 “彩边”。

应用于：

大尺寸样品宏观扫描（如金属板材表面缺陷初筛、晶圆全局定位），长工作距离可直接观察厚达 20mm 的块状样品，无需拆卸附件

中倍兼顾范围与细节，NA 提升使分辨力达 2μm（比 2× 提升 2.5 倍），平场设计让视场边缘与中心清晰度一致。

应用于：

金属晶粒分布、半导体封装纹理观察，长工作距离适配带凸起结构的样品（如焊接件、芯片引脚），可加装偏光模块分析晶体取向。

高倍全视场均匀清晰，NA=0.28 实现 1μm 级分辨力，平场校正消除 “边缘模糊”；无限共轭架构兼容高像素相机（2.3×3.07mm 视场）。

应用于：

常规高倍分析，长工作距离允许加装 DIC 棱镜，拓展微分干涉观察

纳米级细节还原，NA=0.42 + 复消色差，实现 0.7μm 分辨力（接近 550nm 波长下的衍射极限）；平场设计确保小视场全范围清晰。

应用于：

半导体芯片缺陷、金属显微组织精细分析，长工作距离可兼容薄样品 + 显微硬度计压头，平衡高倍观察与操作安全性。

低倍大视场 + 超长工作距，平场校正保障 20mm 视场（FN25 下）全局清晰。

应用于：

金属板材缺陷初筛、厚样品（≤20mm）宏观观察、晶圆全局定位（避免附件碰撞）。

中倍兼顾范围与细节，平场设计让 8mm 视场（FN25÷10×）边缘清晰，半复消色差还原金属晶粒色彩。

应用于：

金属晶粒分布分析、芯片封装纹理观察（适配偏光模块分析晶体取向）。

高倍全视场均匀清晰，NA 提升实现亚微米分辨，平场设计保障 4mm 视场（FN25÷20×）无边缘模糊。

应用于：

半导体芯片线路检测（消除彩边误判）、金属夹杂物分析（适配 DIC 增强立体感）。

近衍射极限分辨（NA=0.8 支撑），平场校正让 1mm 视场（FN25÷50×）全范围清晰，色彩精准还原微结构。

应用于：

金属显微组织分析（马氏体 / 奥氏体区分）、晶圆纳米级缺陷定位。

高倍极限分辨，平场设计抵消场曲，半复消色差保障色彩无偏差，45mm 齐焦兼顾操作安全。

应用于：

半导体芯片纳米缺陷检测（线路短路、氧化层异常）、超精密材料（石墨烯）微观观察。

低倍大视场 + 平场校正，25mm 视场（FN25）内全局清晰，明暗场双模式适配厚样品。

应用于：

金属板材表面缺陷初筛、20mm 厚块状样品（如铝块）宏观观察、晶圆全局定位（避免镜头碰撞）。

中倍兼顾范围与细节，平场设计消除边缘模糊，半复消色差还原金属晶粒真实色彩，明暗场切换高效。

应用于：

金属晶粒分布分析（明场）、芯片封装纹理缺陷检测（暗场）、晶体取向分析（适配偏光模块）。

高倍全视场均匀清晰，NA 提升实现亚微米分辨，明暗场下无彩边干扰，支持 DIC 增强三维立体感。

应用于：

半导体芯片线路短路 / 划痕检测（暗场）、金属夹杂物分析（明场）、微小缺陷三维形貌观察（DIC 模式）。

近衍射极限分辨力，平场校正保障 1mm 视场（FN25÷50）全范围清晰，色彩精准还原微结构。

应用于：

金属显微组织分析（马氏体 / 奥氏体区分）、晶圆纳米级缺陷（氧化层异常）定位、薄膜针孔检测（暗场）。

高倍极限分辨（接近衍射极限），平场设计抵消场曲，半复消色差保障色彩无偏差，45mm 齐焦兼顾操作安全。

应用于：

半导体芯片纳米缺陷（线路缺口、纳米划痕）检测、超精密材料（石墨烯）微观观察、高倍暗场颗粒分析。

采用平场半复消色差设计，消除场曲与红蓝光像差，全视场（25mm 范围）清晰无彩边；12mm 超长工作距离可直接观察厚样品（如金属块、带凸起的焊接件），或为探针 / 夹具预留操作空间。

应用于：

金属表面缺陷、芯片封装纹理等检测，45mm 齐焦换镜免重新对焦，提升产线效率

平衡长工作距与高分辨率，10.4mm 工作距离保留操作空间，0.55μm 分辨率实现亚微米级观察；平场半复消色差保障全视场清晰、色彩精准。

应用于：

金属晶粒统计、芯片焊接点虚焊检测等 “需操作空间 + 精细观察” 的场景。

高倍下仍保持长工作距（3.1mm，远超常规 100× 物镜），兼顾高分辨与操作安全；NA 0.8 增强聚光能力，结合平场半复消色差，实现全视场高清无彩边成像。

应用于：

半导体纳米缺陷（如晶圆氧化层针孔）、超精密材料（如石墨烯）微观形貌等超精细检测。

长工作距离 + 平场半消色差：12 毫米的工作距离可直接观察 20 毫米厚的金属块等样品。平场设计消除了场曲，确保整个视场（25 毫米范围）清晰无色差；明暗场切换：明场用于观察金属晶粒分布，暗场用于捕捉表面纳米级划痕，无需更换镜头即可提高效率。

应用于：
厚金属板表面缺陷的初步筛查、芯片封装的宏观纹理检测、带夹具样品的在线观察（长工作距离预留操作空间）。

平衡长工作距与高分辨率：10.4mm 工作距离保留操作空间，0.55μm 分辨率实现亚微米级观察；色彩精准性：半复消色差校正红蓝光像差，金属夹杂物、芯片焊接点等场景下无彩边干扰。

应用于：

金属晶粒细化剂分布分析（明场）、半导体晶圆亚微米缺陷定位（暗场）、精密模具型腔微观磨损检测。

高倍下长工作距突破：3.1mm 工作距离远超常规 100× 物镜（通常 < 1mm），兼顾超精密观察与操作安全；极限分辨力：NA 0.8 结合平场半复消色差，可检测芯片纳米级短路、晶圆氧化层针孔等超细微缺陷。

应用于：

半导体芯片纳米划痕检测（暗场）、超精密材料（如石墨烯）微观形貌分析（明场）、金属晶界异常高倍观察。

采用复消色差校正（全可见光 400–700nm 消色）与平场设计，消除场曲与彩边干扰，50× 倍率下兼顾分辨率与视场范围，适配中等倍率下的精细观测。

应用于：

半导体芯片焊接点缺陷检测（平衡视场与分辨率）、金属晶粒分布分析、精密模具中等倍率磨损观察。

复消色差 + 平场设计保障全视场（0.25mm）边缘与中心清晰度一致，100× 高倍率下仍保持 0.29μm 高分辨率，适合纳米级结构观测。

应用于：

芯片纳米级划痕 / 短路检测、石墨烯等纳米材料微观形貌分析、金属晶界超高倍精细研究。

属于Michelson 型干涉物镜，具备长工作距离、大视场、大焦深的优势，对表面高低差容忍度高。

应用于：

大尺寸、粗糙表面的非接触式测量，如 3D 打印金属零件的宏观表面粗糙度扫描、大型光学元件（如透镜、反射镜）的全局形貌分析。

倍率与数值孔径平衡，分辨率适配亚微米级结构，焦深适中，兼容中等粗糙度表面。

应用于：

可用于半导体芯片焊盘的几何特征（高度、间距）测量，或石墨烯、MoS₂等二维材料的褶皱、晶界观测（DI 技术增强结构对比度）。

中高倍率下进一步提升分辨率，适配更精细的亚微米结构，工作距离与焦深平衡。

应用于：

适用于 MEMS 器件（如微梁、微阀）的三维形貌检测，或金属材料晶界的微观分析（观测原子排列畸变）。

高 NA 带来纳米级分辨率（0.50μm），焦深较小，对平整表面的高精度测量更友好。

应用于：

半导体芯片的纳米级缺陷（如划痕、短路）检测，或光学薄膜（如光刻胶）的纳米厚度与平整度分析。

无限远校正，明场消色差；5× 低倍低 NA，却具超长工作距（22.5mm）、超大视场（5mm）、极深焦深（16.27μm），耐样本高低差。

应用于：

大尺寸、厚样本或需长操作空间的明场观测，如 3D 打印零件的宏观表面扫描、生物组织大切片的全局观察，可快速覆盖大范围样本。

无限远校正，明场消色差；10× 倍率与 NA=0.30 平衡，工作距适中，视场、分辨率兼顾宏观与微米级细节。

应用于：

常规明场观测，如细胞培养皿整体观察、小型精密零件（微米级划痕 / 结构）检测。

无限远校正，明场消色差；20× 中高倍 + NA=0.46，亚微米分辨率（0.60μm），工作距 3.1mm 适配常规样本。

应用于：

亚微米级结构的明场分析，如半导体芯片浅表层缺陷（微小裂纹、颗粒）、细胞亚结构（细胞器分布）观测。

无限远校正，明场消色差；50× 高倍 + NA=0.80，达 0.34μm 纳米级分辨率，但工作距短、焦深浅，对样本平整度要求高。

应用于：

纳米级精细结构的明场观测，如半导体器件纳米线、金属晶界微观形貌，或超薄切片超微结构分析。

10 倍放大，数值孔径（NA）0.3，超长工作距离（16.2mm），平场半复消色差校正，空气介质，适配 0.17mm 盖玻片，宽光谱透光性优。

应用：

适合大视场荧光观察（如细胞群体的荧光分布筛查）、厚样本（如组织切片浅层）的明场 / 荧光多模态切换，长工作距可避免损伤样本，便于初步定位。

20 倍放大，NA=0.5，工作距离 2.2mm，平场半复消色差校正，空气介质，适配 0.17mm 盖玻片，兼顾视场与亚微米级分辨率。

应用：

用于细胞亚结构荧光成像（如线粒体、内质网标记），或薄生物样本（单细胞、超薄组织）的明场 / 荧光 / DIC 多模态分析。

40 倍放大，NA=0.75，工作距离 0.66mm，平场半复消色差校正，空气介质，带弹簧保护（防镜头 - 样本碰撞），适配 0.17mm 盖玻片。

应用：

适合亚微米级结构荧光观察（如细胞器精细分布、蛋白定位），或精密生物样本（如神经元突触）的明场 / 荧光研究，弹簧设计提升操作安全性。

60 倍放大，NA=0.85，工作距离 0.3 - 0.36mm，平场半复消色差校正，空气介质，带弹簧保护，兼容 0.11 - 0.23mm 盖玻片（适配多类制片）。

应用：

用于高分辨率荧光成像（如细胞核染色质、小颗粒标记物），可适配不同盖玻片厚度的特殊样本（如定制切片），弹簧保护保障操作安全。

100 倍放大，NA=1.35，工作距离 0.16mm，平场半复消色差校正，油浸介质（增强聚光与分辨率），带弹簧保护，适配 0.17mm 盖玻片，宽光谱透光性优异。

应用：

适用于纳米级精细结构荧光观察（如病毒颗粒、蛋白簇、单分子荧光），或染色体、细胞器超微结构的极限分辨率成像，油浸可显著提升信号亮度与分辨率。

作为低倍多模态物镜，无穷远校正 + 半复消色差保障成像质量；超长工作距离（16.5mm）为厚样本（如大块组织、3D 培养物）、大尺寸样本（培养皿全局扫描）提供充足操作空间。

应用：

适合 “宏观定位 + 多模态初筛”（明场全局观察、荧光标记整体分布、相衬样本初步识别）。

“低倍→中倍” 过渡型物镜，NA 与倍率平衡；工作距离仍较长（14.5mm），兼顾大视场与分辨率。

应用：

可用于细胞群体荧光分布筛查、活细胞分裂初期相衬观察，或薄组织的 “明场→荧光” 快速切换分析。

中倍精准成像物镜，NA 提升实现 “亚微米级分辨率”；校正环解决盖玻片 / 样本厚度不均的像差问题，适配多样制片；工作距离适中。

应用:

适合细胞亚结构（线粒体、内质网）荧光标记观察，或透明活细胞的相衬动态分析（如细胞迁移、形态变化）。

高倍亚微结构观察物镜，NA=0.6 保障高分辨率；校正环 + 宽盖玻片适配性，兼容不同制片；工作距离（2.3–3.3mm）在高倍下仍有操作空间。

应用：

可用于细胞器精细分布（如高尔基体定位）、蛋白荧光标记的亚细胞定位，或神经元突触的相衬观察。

高倍精细成像物镜（空气介质），NA=0.7 接近油镜性能（无需浸油）；校正环保障厚盖玻片 / 样本的成像质量，工作距离可满足细胞核染色质。

应用于：

小颗粒荧光标记物（如病毒样颗粒）的高分辨率观察，或薄切片超微结构的相衬分析，为 “无油镜高倍成像” 提供解决方案。

低倍宏观观测物镜，复消色差保障色彩精准，8.5mm 超长工作距适配厚样本、大容器。

应用：

适合明场 / 荧光 “预定位”（快速找到目标区域，为高倍观察打基础）。

复消色差保障色彩真，4× 低倍 + 20mm 超长工作距（大视野、易操作），空气介质，无需浸液和特定盖玻片，简便灵活。

应用:

适用于厚样本的全局观测，如大块组织、3D 细胞团（类器官）、微生物群落的整体形态与分布观察。

进入中倍观测区间，NA 提升保障 “细胞群体→亚结构” 的分辨率跨越；复消色差让 GFP、DAPI 等荧光标记 “色彩真实不串扰”

应用:

适合细胞培养、常规组织切片的 “中观分析”（如细胞密度统计、组织层结构观察）。

空气介质下高分辨率成像标杆，NA=0.8 接近油镜性能（无需浸油）；弹簧保护防止操作中物镜压损样本

应用：

适合活细胞动态（如分裂、迁移）、细胞器（线粒体、内质网）荧光标记的 “高倍精准观测”。

无需浸油的 “准油镜体验”，高 NA 保障亚微米级分辨率；宽盖玻片适配性（0.11–0.23mm）兼容多样制片

应用：

适合细胞骨架、细胞核细节的 “无油高分辨率观测”，简化操作同时保持精度。

NA=1.42 突破空气衍射极限；复消色差让多色荧光（如 DAPI+GFP+RFP）“共定位零误差”

应用：

适合病毒颗粒、染色质纤维、单分子荧光标记的高倍分析。

油镜 “性能天花板”，NA=1.45 实现 “纳米级分辨率”；复消色差覆盖全色谱校正。

应用：

细胞亚结构（线粒体嵴、突触）、微生物（细菌鞭毛）、免疫荧光单分子定位的 “终极观测工具”。